据国外媒体消息，英特尔副总裁兼技术开发主管安·凯莱赫(Ann Kelleher)近日表示，英特尔正在实现夺回半导体制造领先地位的目标。
凯莱赫说:ldquo英特尔的季度里程碑表明，我们处于领先地位或走在正确的道路上。rdquo她表示，英特尔目前正在量产7纳米芯片，并准备开始制造4纳米芯片，明年下半年将准备转用3纳米。
谁能坐上后摩尔技术的宝座？
英特尔CEO基辛格曾表示要重新回到生产技术的领先地位，ldquo重回领导岗位rdquo前提是英特尔长期处于领先地位。以及我们这里所说的生产技术，具体来说就是尖端的半导体制造工艺。
回顾英特尔早期的工艺，在14nm之前，英特尔始终推动行业内的重大工艺革新，始终保持领先其他fab和代工工厂数年的技术水平。
比如90nm时代，英特尔推出应力增强的eSiGe，行业第一；
2005年，英特尔首次采用HKMG，比其他公司早了5年多；2011年，英特尔22nm工艺首次推出FinFET晶体管。......
14nm之后，英特尔遇到了技术瓶颈。先是原计划的Fab 14工厂升级进程被取消，然后10nm屡屡受挫，7nm变得遥遥无期。
直到今年，英特尔在IEEE VLSI大会上公开了其首个7nm工艺。
在英特尔先进技术关闭期间，TSMC和三星一路高歌猛进，TSMC在7nm技术之后稳坐先进节点的宝座。
2018年N7技术的问世，可以看作是TSMC超越英特尔的转折点。此时AMD Zen 2架构CPU开始采用TSMC的7nm技术，终于在最终销售的CPU产品上第一次实现了对Intel处理器的局部超越。
此后，TSMC在2020年迅速推出6nm和5nm，并宣布将在今年第四季度量产3nm，并计划在2024年下半年进入风险较大的2nm节点试产。
赶上是正常的。英特尔计划在2030年超过三星的OEM业务，三星也威胁要在2030年超过TSMC。
今年7月，三星宣布量产3nm工艺，并将率先采用GAA技术。它还计划在2023年推出第二代3nm工艺，并进一步计划在2025年发展到2nm工艺，2027年发展到1.4nm工艺。
据业内人士透露，三星的排期还是有可能的，目前的关键问题是产品良率。
根据TrendForce集邦咨询研究，今年第二季度前十大代工产值中，TSMC第二季度营收181.5亿美元，5/4nm营收增长约11.1%，成为第二季度最佳制程节点，7/6nm制程节点营收增长2.8%。
在三星，7/6nm产能已经转为5/4nm制程，良品率不断提升，带动第二季度营收达到55.9亿美元，环比增长4.9%。
与此同时，首款采用GAA架构的3GAE工艺在今年第二季度末正式量产，第一波客户是矿业公司PanSemi。
目前已经跌下神坛的英特尔，计划通过产业、人才、技术等多方面的布局，重回巅峰，专注前沿制造技术。英特尔的计划是在四年内将五个主要工艺节点从Intel 7提升到Inetl 18A。
英特尔2022年投资者大会图表
Intel 7已经在2021年量产，Intel计划在今年下半年量产Intel 4(相当于7nm)；英特尔3的量产；明年下半年；2024年上半年英特尔20A量产；以及2024年下半年Intel 18A的量产。
业内人士表示，虽然英特尔跨越五个节点的四年计划有些夸张，但值得注意的是，英特尔在某些方面充分吸取了之前的教训，做了一些技术上的改变。
早年，英特尔严格遵循ldquo摩尔定律rdquo毕竟，摩尔定律是由英特尔的戈丹·摩尔提出的。这期间，英特尔非常执着于晶体管密度的门槛。
公开资料显示，22nmrarr是从英特尔公布的逻辑晶体管密度演进方向来看的；在14纳米，英特尔实现了晶体管密度的2.5倍增长；和14nmrarr10nm，英特尔的目标是将晶体管密度提高2.7倍。
英特尔称之为超级扩展。这些数值都很客观，毕竟TSMC N7rarr；51.9x密度增加，N5rarrN3 1.6倍的密度增长已经是行业领先。
同样，很多业内人士认为，英特尔10nm和7nm工艺难产的关键在于英特尔对晶体管密度的偏执。
2021年，英特尔对其工艺节点进行了更名，并推出了四年更新五代节点的理念，这一切实际上都抛弃了过去偏执于增加晶体管密度的传统。
从TSMC、三星、英特尔的提前节点计划来看，如果大家的工艺进度都按时推进，三家可能在2024年或2025年在2nm工艺上正面交锋。到时候会发生什么样的变数？我们拭目以待！
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