官方称，这款MCR DIMM产品采用了新的方法来提高DDR5的传输速度。虽然一般认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，但SK海力士的工程师在开发这款产品时另辟蹊径，提高了模块的速度，而不是单个DRAM芯片的速度。
SK海力士技术团队设计了基于英特尔MCR技术的产品，使用安装在MCR DIMM上的数据缓冲区同时运行两个内存条。
传统的DRAM模块一次只能向CPU传输64字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列可以同时向CPU传输128字节的数据。每次传输到CPU的数据量增加，数据传输速度提升到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。
该产品的成功开发得益于与英特尔和瑞萨电子的合作。这三家公司在从开发到速度和性能验证的所有阶段都进行了密切合作。
SK海力士DRAM产品企划副总监刘认为，这种产品的成功开发有赖于不同技术的结合。朱成说:“SK海力士的DRAM模块设计能力与英特尔优秀的至强处理器和瑞萨的缓冲技术相结合。为了确保MCR DIMM的稳定运行，模块内外的数据缓冲区和处理器能够顺利交互是必不可少的。"
数据缓冲器负责传输来自中间模块的多个信号，服务器CPU负责接收和处理来自缓冲器的信号。
刘副总裁还表示:“业界最快的MCR DIMM的研发充分展示了SK海力士DDR5技术的又一重大进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固我们在服务器DRAM市场的领先地位。”
英特尔负责内存和IO技术的副总裁DimitriosZiakas博士表示，英特尔和SK海力士在服务器的内存创新、高性能和可扩展DDR5领域处于领先地位，同一梯队还有一些其他主要的行业合作伙伴。
“此次采用的技术来自于英特尔与关键行业合作伙伴多年的联合研究，大大增加了英特尔至强处理器提供的带宽。我们期待这项技术应用于未来的英特尔至强处理器，并支持行业的标准化和多代发展。”
瑞萨电子副总裁兼内存接口部门负责人Sameer Kuppahalli表示，数据缓冲器从构思到生产经历了三年时间。“我们非常自豪能够与SK海力士和英特尔合作，将这项技术转化为优秀的产品。”
据IT之家报道，SK海力士预计，在内存带宽对高性能计算需求日益增长的推动下，MCR DIMM的市场将逐渐打开，该公司计划在未来量产这款产品。
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